半导体锗材料与器件
图书信息
书名：半导体锗材料与器件作者：克莱,西蒙,屠海令
包装：平装
开本：16
页数：392页
全文字数：467000
出版社：冶金工业出版社
出版时间：2010-4
图书简介
该书由Cor Claeys博士和Eddy Simoen博士等来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的国际知名专家撰写完成。全书共计13章，分别为：导论、锗材料、锗中长入缺陷、锗中掺杂剂的扩散和溶解度、锗中氧、锗中金属、锗中缺陷从头计算的建模、锗中辐射缺陷及行为、器件模拟、纳米尺度锗MOS栅介质和MOS结、先进的锗MOS器件、锗的其他应用和发展趋势与展望。全书内容涵盖了锗晶体生长、缺陷控制、杂质影响、加工工艺、器件及器件模拟，以及锗在红外等领域的应用。其中不仅阐述了基本原理，还重点讲解了工业应用和未来发展趋势，对于科技人员、高校师生和工程师具有极高的参考价值。
推荐理由
该书为半导体锗技术领域的权威著作，是从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高校师生和工程师必备的参考书。其中不仅涵盖了基本原理，还重点阐述了工业应用和未来发展趋势。作为该领域的首部著作，该书系统总结了锗材料与工艺技术的最新进展和锗器件的研究成果，内容广泛，数据详实，具有极高的参考价值。如果你想深入了解半导体锗领域的最新进展，那么这本书将是你的不二之选。