半导体器件物理
图书信息
书名：半导体器件物理作者：徐振邦 主编
包装：平装
开本：16
页数：236页
全文字数：400000
出版社：电子工业出版社
出版时间：2017-08-01
图书简介
本教材主要分为半导体物理和晶体管原理两部分，共6章。第1章介绍了半导体材料的特性，包括晶体结构、电子状态、杂质和缺陷等。第2-3章阐述了PN结和双晶体管，包括平衡/非平衡载流子、电容、击穿、开关特性以及频率特性等。第4-5章系统阐述MOS型晶体管和半导体表面特性，包括Si-SiO2系统、表面势、阈值电压、金属与半导体接触、MOS型场效应晶体管的结构与分类等。第6章介绍了其他几种常用的半导体器件，如发光二极管、光电二极管、变容二极管等。本教材侧重于物理概念与物理过程的描述，并配有操作实验和仿真实验，以方便开展教学。
推荐理由
本教材是科学教育领域的重要参考书，内容详实、条理清晰，适合高等职业本专科院校相应课程的教材，也可作为开放大学、成人教育、自学考试、中职学校、培训班的教材，以及半导体行业工程技术人员的参考书。在学习和研究半导体器件方面，本教材是非常优秀的选择。