国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）
图书信息
书名：国外名校最新教材精选：半导体器件物理（第3版）作者：施敏,S.M.SZE,伍国珏,KWOK K.NG,耿莉,张瑞智
包装：平装
开本：16
页数：598页
全文字数：933000
出版社：西安交通大学出版社
出版时间：2008-6
图书简介
《国外名校新教材精选：半导体器件物理（第3版）》这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。本书从半导体物理、器件基本构件、晶体管、负阻器件和功率器件、光学器件和传感器等方面深入阐述了半导体器件的基础知识，并对预测未来器件性能和局限性提供了良好的基础。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，对研究生和科技工作者具有重要的参考价值。
推荐理由
本书非常适合工程师、研究人员、科技工作者和高校师生阅读，尤其适用于微电子领域的学习和研究。通过本书的学习，读者可以全面了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。此外，本书还对全球最新研究成果进行了全面归纳和解读，对提升读者的学术研究和实践能力都有着积极的促进作用。因此，我强烈推荐这本书作为相关专业领域学生、科技工作者和工程师的必读书籍，相信它一定能够帮助读者快速了解当今半导体器件的基础知识，并在学术和实践方面获得提升。
