宽禁带半导体电子材料与器件
图书信息
书名：宽禁带半导体电子材料与器件作者：沈波,唐宁
包装：精装
开本：32
页数：332页
出版社：科学出版社
出版时间：2021-03-01
图书简介
本书共9章，其中第1章为绪论，第2章至第6章介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石等材料的基础物理性质、外延生长和器件制备。第7章和第8章重点讲解了氮化物半导体和SiC半导体的功率器件，包括整流二极管、功率开关器件等。第9章介绍了氧化镓半导体功率电子器件。本书详细解析了这些宽禁带半导体电子材料和器件的关键科技问题和研究现状，并展望了它们的发展前景。
推荐理由
如果你对宽禁带半导体电子材料和器件感兴趣，或者是从事电子器件领域研究的专业人士，那么这本书一定不容错过。作者系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种宽禁带半导体材料，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面深入阐述它们的基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。这些宽禁带半导体电子材料和器件具有重大的理论价值和应用价值，在电子工程、信息通信、新能源发电和国防军工等领域具有广阔的应用前景。
