氮化镓基半导体异质结构及二维电子气

GaN基宽禁带半导体异质结构具有很高的应用价值，是发展高频、高功率电子器件的优选半导体材料。本书主要从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面进行详细介绍。 氮化镓（GaN）基半导体异质结构的物理性质和应用潜力引起了科学家和工程师的极大兴趣。回顾GaN半导体的研究历程，从最初的材料研究到设备制造和应用的商用化，本书致力于探讨GaN异质结构的物理问题，并讨论了高能量，高功率电子应用的问题，如射频特性，光电特性和热特性，以及对GaN异质结构应用的探索，包括太阳能光电器件、红外探测器、通信设备和医疗器械等方面。 书中还着重论述了GaN基半导体异质结构中的二维电子气，重点关注其物理性质、研究方法及应用前景，并将其与传统的Si基半导体进行比较。 同时，本书介绍了GaN基器件的外延生长、衬底材料、表面技术等方面的研究进展和主要的材料和器件研发成果，阐述了其在特殊应用领域中的重要应用情况。