纳米CMOS器件及电路的辐射效应
图书信息
书名：纳米CMOS器件及电路的辐射效应作者：刘保军
页数：264页
出版社：电子工业
出版时间：2021-04-01
图书简介
本书从器件和电路角度建模分析，综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。针对高“k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术进行了分析和讨论，还给出了单粒子串扰的建模方法以及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。
推荐理由
如果你在微纳电子学、航天电子、核与空间辐射、半导体物理和电子器件等领域工作或研究，或者对纳米CMOS器件的辐射效应感兴趣，这本书非常适合你。本书综合考虑了器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，给出了分析方法和思路，还讨论了纳米FinFET及纳米线的辐射效应和器件级加固技术。此外，本书还介绍了单粒子串扰的建模方法和数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法，是一本非常实用的科技类图书。