负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究（清华大学优秀博士学位论文丛书）
图书信息
书名：负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究（清华大学优秀博士学位论文丛书）作者：蒋春生
包装：平装
开本：16
全文字数：195000
出版社：清华大学出版社
出版时间：2020-10-01
图书简介
本书通过数值仿真、解析建模和实验制备，系统研究了新型负电容场效应晶体管（NC-FETs）的工作原理和设计优化。在解析模型及其特性优化、二维沟道材料的制备等方面，做出了一系列原创性的研究工作。同时，本书也提出了新型负电容场效应晶体管器件结构，并探究了借助铁电和压电等材料的负电容场效应晶体管。本书以系统、全面的方式介绍了负电容晶体管的研究进展及其面临的挑战，对从事新型半导体器件设计的技术人员提供了具有参考价值的研究成果。
推荐理由
本书系统研究了新型负电容场效应晶体管（NC-FETs）的工作原理和设计优化，具有一定的实用价值。在半导体器件领域，NC-FETs作为一种新型半导体器件，具有体积小、功耗低等优点，在实际应用中具有广泛的应用前景。本书的研究成果为NC-FETs的设计和制备提供了重要的理论指导和实验基础，值得从事新型半导体器件设计的技术人员阅读和参考。