硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究
图书信息
书名：硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究作者：杜文汉
包装：平装
开本：32
出版社：江苏大学出版社
出版时间：2018-12-01
图书简介
《硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究》借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具，深入研究了Sr/Si体系。通过三个部分的讨论，分别是Si（100）衬底上的Sr/Si再构、Si（111）衬底上的Sr/Si再构、超薄SrTiO3膜的高温晶化，全面解析了硅基高K氧化物锶硅界面缓冲层的研究进展，对该领域进行系统的总结与展望。本书不仅对于材料制备和性质调控有着重要现实意义，同时也为相关研究提供了理论基础和实验方法的指导。
推荐理由
本书系统总结了有关硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究进展，对于材料制备和性质调控有着重要现实意义，同时也为相关研究提供了理论基础和实验方法的指导。该书涉及领域广泛，对材料科学、半导体器件等相关领域的从业人员、科研人员和学生都具有参考价值和指导作用。