纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究/清华大学优秀博士学位论文丛书
图书信息
书名：纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究/清华大学优秀博士学位论文丛书作者：陈荣梅
包装：精装
开本：16
页数：126页
全文字数：177000
出版社：清华大学出版社
出版时间：2020-11
图书简介
《纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究》通过深入研究纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播，以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理，为纳米集成电路辐射效应、单粒子效应的科研人员和抗辐射集成电路设计的工程师提供了有价值的参考资料。本书详细讨论了四个主题：量化了SEU软错误在逻辑电路中的传播概率模型并将其应用到单粒子效应的实验评估中，同时提出了SEU软错误的加固策略；研究了保护环加固与商用版图结构电路对单粒子多瞬态效应的敏感性差异；研究了逻辑电路的单粒子软错误截面变化受工作电压和测试向量的影响；以及研究了不同电路工作电压下逻辑电路的单粒子软错误截面随温度的变化。对于该领域的读者来说，是一本不可或缺的著作。
推荐理由
本书通过对纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播进行了深入研究，并提供了有价值的参考资料，对纳米集成电路辐射效应、单粒子效应的科研人员和抗辐射集成电路设计的工程师具有非常重要的参考价值。