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纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测

更新时间: 2024年10月01日 访问量: 976次
纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测

图书信息

书名:纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测
作者:桑迪普K.戈埃尔,Sandeep K.Goel,续海涛
包装:平装
开本:16
页数:191页
全文字数:249000
出版社:机械工业出版社
出版时间:2016-1

图书简介

随着集成电路的复杂度不断增加,如何进行缺陷检测成为了重要的研究方向。现代集成电路的高复杂度和纳米尺度特征易使其在制造过程中产生缺陷,也可能引发性能和质量问题。本书从设计方法和工艺技术的角度出发,详细讲述了小延迟缺陷(SDD)的测试方法。本书分为四个部分介绍SDD测试的各方面内容:优秀部分主要介绍了时序敏感自动测试向量生成(ATPG),第二部分介绍了超速测试,第三部分介绍了替代方案,可以在ATPG和解决方案之间进行折衷,第四部分介绍了SDD的测试标准。全书内容由浅入深,覆盖面广,对SDD测试全面展开,内容具有实用性和可读性。本书适合从事微电子领域芯片测试相关专业的工程师、微电子专业高校师生和研究人员以及对芯片测试领域感兴趣的读者阅读。

推荐理由

针对纳米CMOS集成电路中小延迟缺陷的测试方法进行了深入介绍,全面覆盖了常见问题以及测试标准方面的内容。本书分为四个部分介绍了时序敏感自动测试向量生成、超速测试、替代方案和SDD测量标准,内容由浅入深,具有实用性和可读性。是一本适合从事芯片测试相关专业的工程师、高校师生和研究人员以及对芯片测试领域感兴趣的读者阅读的参考书。