基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征
图书信息
书名：基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征作者：张法碧
包装：平装
开本：16
出版社：华中科技大学出版社
出版时间：2020-05-01
图书简介
本书深入剖析氧化镓这一新型半导体材料的基本性质与相关研究现状，系统阐述了氧化镓在薄膜生长以及表征方面的关键技术。针对氧化镓电导率调制问题，提出了掺杂方法及其机制，并详细探讨了利用氧化铟、氧化铝和氧化镓形成合金从而调节禁带宽度的方法与机理。对于相关领域研究人员和从事半导体材料研究的学者而言，本书是一本重要的参考资料。
推荐理由
作为一本新型半导体材料的研究专著，该书详细介绍了氧化镓这一新材料在超宽禁带半导体领域的重要性。通过引用大量的实验数据和相关文献，作者全面细致地讲述了氧化镓的性质及相关应用技术。本书内容丰富，深入浅出，是一本不可或缺的参考资料。
